IXGH85N30C3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGH85N30C3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 300 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.64 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 34 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 310 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXGH85N30C3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH85N30C3 даташит

 ..1. Size:102K  ixys
 ixgh85n30c3.pdf pdf_icon

IXGH85N30C3

Preliminary Technical Information VCES = 300V IXGH85N30C3 GenX3TM 300V IGBT IC110 = 85A VCE(sat) 1.9V High Speed PT IGBTs for tfi typ = 70ns 50-150kHz switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 300 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 300 V G VGES Continuous 20 V C (TAB) E VGEM Transient 30

Другие IGBT... IXGH60N60C3D1, IXGH64N60A3, IXGH64N60B3, IXGH6N170, IXGH6N170A, IXGH72N60A3, IXGH72N60B3, IXGH72N60C3, TGPF30N43P, IXGH90N60B3, IXGI48N60C3, IXGJ40N60C2D1, IXGJ50N60B, IXGJ50N60C4D1, IXGK100N170, IXGK120N120A3, IXGK120N120B3