Справочник IGBT. IXGH85N30C3

 

IXGH85N30C3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGH85N30C3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 300 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.64 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 34 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 310 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXGH85N30C3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH85N30C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  ixys
 ixgh85n30c3.pdf pdf_icon

IXGH85N30C3

Preliminary Technical InformationVCES = 300VIXGH85N30C3GenX3TM 300V IGBTIC110 = 85A VCE(sat) 1.9V High Speed PT IGBTs fortfi typ = 70ns50-150kHz switchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum Ratings (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 300 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 300 VGVGES Continuous 20 VC (TAB)EVGEM Transient 30

Другие IGBT... IXGH60N60C3D1 , IXGH64N60A3 , IXGH64N60B3 , IXGH6N170 , IXGH6N170A , IXGH72N60A3 , IXGH72N60B3 , IXGH72N60C3 , IHW40T60 , IXGH90N60B3 , IXGI48N60C3 , IXGJ40N60C2D1 , IXGJ50N60B , IXGJ50N60C4D1 , IXGK100N170 , IXGK120N120A3 , IXGK120N120B3 .

 

 
Back to Top

 


 
.