IXGH90N60B3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGH90N60B3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 660 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 47 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 525 pF
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de IXGH90N60B3 IGBT
IXGH90N60B3 datasheet
ixgh90n60b3.pdf
Preliminary Technical Information VCES = 600V GenX3TM 600V IGBT IXGH90N60B3 IC110 = 90A VCE(sat) 1.8V Medium speed low Vsat PT tfi(typ) = 148ns IGBTs 5-40 kHz switching TO-247 AD (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G IC25 TC
Otros transistores... IXGH64N60A3 , IXGH64N60B3 , IXGH6N170 , IXGH6N170A , IXGH72N60A3 , IXGH72N60B3 , IXGH72N60C3 , IXGH85N30C3 , AOK40B65H2AL , IXGI48N60C3 , IXGJ40N60C2D1 , IXGJ50N60B , IXGJ50N60C4D1 , IXGK100N170 , IXGK120N120A3 , IXGK120N120B3 , IXGK120N60A3 .
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