IXGH90N60B3 Todos los transistores

 

IXGH90N60B3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGH90N60B3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 660 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 47 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 525 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 172 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXGH90N60B3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  ixys
 ixgh90n60b3.pdf pdf_icon

IXGH90N60B3

Preliminary Technical InformationVCES = 600VGenX3TM 600V IGBT IXGH90N60B3IC110 = 90AVCE(sat) 1.8VMedium speed low Vsat PT tfi(typ) = 148nsIGBTs 5-40 kHz switchingTO-247 AD (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGIC25 TC

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History: IXGN82N120B3H1 | STGP30H60DF | AIKQ100N60CT | IXGT28N90B | MGP20N40CL | AIGW50N65H5 | RGTH50TS65D

 

 
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