IXGH90N60B3 Todos los transistores

 

IXGH90N60B3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGH90N60B3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 660 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 47 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 525 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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IXGH90N60B3 Datasheet (PDF)

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IXGH90N60B3

Preliminary Technical InformationVCES = 600VGenX3TM 600V IGBT IXGH90N60B3IC110 = 90AVCE(sat) 1.8VMedium speed low Vsat PT tfi(typ) = 148nsIGBTs 5-40 kHz switchingTO-247 AD (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGIC25 TC

Otros transistores... IXGH64N60A3 , IXGH64N60B3 , IXGH6N170 , IXGH6N170A , IXGH72N60A3 , IXGH72N60B3 , IXGH72N60C3 , IXGH85N30C3 , IRG4PC50UD , IXGI48N60C3 , IXGJ40N60C2D1 , IXGJ50N60B , IXGJ50N60C4D1 , IXGK100N170 , IXGK120N120A3 , IXGK120N120B3 , IXGK120N60A3 .

History: RJP60F5DPM | IKD06N60RA | MMG400D120B6TC

 

 
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