IXGH90N60B3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGH90N60B3

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.8

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 75

Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

Tiempo de elevación: 148

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO247

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IXGH90N60B3 Datasheet (PDF)

1.1. ixgh90n60b3.pdf Size:172K _ixys

Preliminary Technical Information VCES = 600V GenX3TM 600V IGBT IXGH90N60B3 IC110 = 90A ≤ VCE(sat) ≤ ≤£ 1.8V ≤ ≤ Medium speed low Vsat PT tfi(typ) = 148ns IGBTs 5-40 kHz switching TO-247 AD (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ 600 V VGES Continuous ±20 V VGEM Transient ±30 V G IC25 TC

Otros transistores... IXGH64N60A3 , IXGH64N60B3 , IXGH6N170 , IXGH6N170A , IXGH72N60A3 , IXGH72N60B3 , IXGH72N60C3 , IXGH85N30C3 , CT60AM-20 , IXGI48N60C3 , IXGJ40N60C2D1 , IXGJ50N60B , IXGJ50N60C4D1 , IXGK100N170 , IXGK120N120A3 , IXGK120N120B3 , IXGK120N60A3 .