IXGH90N60B3 Todos los transistores

 

IXGH90N60B3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGH90N60B3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 660 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 47 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 525 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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IXGH90N60B3 PDF specs

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IXGH90N60B3

Preliminary Technical Information VCES = 600V GenX3TM 600V IGBT IXGH90N60B3 IC110 = 90A VCE(sat) 1.8V Medium speed low Vsat PT tfi(typ) = 148ns IGBTs 5-40 kHz switching TO-247 AD (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G IC25 TC... See More ⇒

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