Справочник IGBT. IXGH90N60B3

 

IXGH90N60B3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGH90N60B3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 660 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 47 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 525 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 172 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXGH90N60B3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH90N60B3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  ixys
 ixgh90n60b3.pdf pdf_icon

IXGH90N60B3

Preliminary Technical InformationVCES = 600VGenX3TM 600V IGBT IXGH90N60B3IC110 = 90AVCE(sat) 1.8VMedium speed low Vsat PT tfi(typ) = 148nsIGBTs 5-40 kHz switchingTO-247 AD (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGIC25 TC

Другие IGBT... IXGH64N60A3 , IXGH64N60B3 , IXGH6N170 , IXGH6N170A , IXGH72N60A3 , IXGH72N60B3 , IXGH72N60C3 , IXGH85N30C3 , IRG4PC50UD , IXGI48N60C3 , IXGJ40N60C2D1 , IXGJ50N60B , IXGJ50N60C4D1 , IXGK100N170 , IXGK120N120A3 , IXGK120N120B3 , IXGK120N60A3 .

History: IGC18T120T6L | APT80GP60JDF3 | STGW45HF60WDI

 

 
Back to Top

 


 
.