IXGH90N60B3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGH90N60B3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 660 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 47 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 525 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXGH90N60B3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH90N60B3 даташит

 ..1. Size:172K  ixys
 ixgh90n60b3.pdf pdf_icon

IXGH90N60B3

Preliminary Technical Information VCES = 600V GenX3TM 600V IGBT IXGH90N60B3 IC110 = 90A VCE(sat) 1.8V Medium speed low Vsat PT tfi(typ) = 148ns IGBTs 5-40 kHz switching TO-247 AD (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G IC25 TC

Другие IGBT... IXGH64N60A3, IXGH64N60B3, IXGH6N170, IXGH6N170A, IXGH72N60A3, IXGH72N60B3, IXGH72N60C3, IXGH85N30C3, AOK40B65H2AL, IXGI48N60C3, IXGJ40N60C2D1, IXGJ50N60B, IXGJ50N60C4D1, IXGK100N170, IXGK120N120A3, IXGK120N120B3, IXGK120N60A3