IXGL200N60B3 Todos los transistores

 

IXGL200N60B3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGL200N60B3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 400 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.35 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 83 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1260 pF
   Paquete / Cubierta: TO264I
 

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IXGL200N60B3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  ixys
 ixgl200n60b3.pdf pdf_icon

IXGL200N60B3

VCES = 600VGenX3TM 600V IGBTIXGL200N60B3IC110 = 90AMedium speed low Vsat PTVCE(sat) 1.50VIGBTs 5-40 kHz switchingtfi(typ) = 183nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C (limited by leads) 150 AIC110 TC = 110C (ch

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History: NGTB40N120S | IXGN200N60B3 | SG50N06DS | IXST30N60BD1 | VS-GB150TH120N | TGH80N65F2DS | APT50GN60BG

 

 
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