IXGL200N60B3 Todos los transistores

 

IXGL200N60B3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGL200N60B3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 400 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.35 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 83 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1260 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 750 nC
   Paquete / Cubierta: TO264I
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXGL200N60B3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  ixys
 ixgl200n60b3.pdf pdf_icon

IXGL200N60B3

VCES = 600VGenX3TM 600V IGBTIXGL200N60B3IC110 = 90AMedium speed low Vsat PTVCE(sat) 1.50VIGBTs 5-40 kHz switchingtfi(typ) = 183nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C (limited by leads) 150 AIC110 TC = 110C (ch

Otros transistores... IXGK60N60B2D1 , IXGK60N60C2D1 , IXGK64N60B3D1 , IXGK72N60A3H1 , IXGK72N60B3H1 , IXGK75N250 , IXGK82N120A3 , IXGK82N120B3 , GT30J124 , IXGL75N250 , IXGN100N170 , IXGN120N60A3 , IXGN120N60A3D1 , IXGN200N60A2 , IXGN200N60B3 , IXGN320N60A3 , IXGN400N30A3 .

History: IXGN200N60B3 | NGTB20N120IHS | MGP4N60E | HMG15N60 | IGW30N60H3

 

 
Back to Top

 


 
.