IXGL200N60B3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGL200N60B3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 400 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.35 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 83 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1260 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 750 nC
Paquete / Cubierta: TO264I
Búsqueda de reemplazo de IXGL200N60B3 - IGBT
IXGL200N60B3 Datasheet (PDF)
ixgl200n60b3.pdf
VCES = 600VGenX3TM 600V IGBTIXGL200N60B3IC110 = 90AMedium speed low Vsat PTVCE(sat) 1.50VIGBTs 5-40 kHz switchingtfi(typ) = 183nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C (limited by leads) 150 AIC110 TC = 110C (ch
Otros transistores... IXGK60N60B2D1 , IXGK60N60C2D1 , IXGK64N60B3D1 , IXGK72N60A3H1 , IXGK72N60B3H1 , IXGK75N250 , IXGK82N120A3 , IXGK82N120B3 , FGH40N60UFD , IXGL75N250 , IXGN100N170 , IXGN120N60A3 , IXGN120N60A3D1 , IXGN200N60A2 , IXGN200N60B3 , IXGN320N60A3 , IXGN400N30A3 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2