IXGL200N60B3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGL200N60B3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 83 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1260 pF

Тип корпуса: TO264I

 Аналог (замена) для IXGL200N60B3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGL200N60B3 даташит

 ..1. Size:209K  ixys
 ixgl200n60b3.pdf pdf_icon

IXGL200N60B3

VCES = 600V GenX3TM 600V IGBT IXGL200N60B3 IC110 = 90A Medium speed low Vsat PT VCE(sat) 1.50V IGBTs 5-40 kHz switching tfi(typ) = 183ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C (limited by leads) 150 A IC110 TC = 110 C (ch

Другие IGBT... IXGK60N60B2D1, IXGK60N60C2D1, IXGK64N60B3D1, IXGK72N60A3H1, IXGK72N60B3H1, IXGK75N250, IXGK82N120A3, IXGK82N120B3, MBQ60T65PES, IXGL75N250, IXGN100N170, IXGN120N60A3, IXGN120N60A3D1, IXGN200N60A2, IXGN200N60B3, IXGN320N60A3, IXGN400N30A3