Справочник IGBT. IXGL200N60B3

 

IXGL200N60B3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGL200N60B3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 83 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1260 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 750 nC
   Тип корпуса: TO264I
 

 Аналог (замена) для IXGL200N60B3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGL200N60B3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  ixys
 ixgl200n60b3.pdf pdf_icon

IXGL200N60B3

VCES = 600VGenX3TM 600V IGBTIXGL200N60B3IC110 = 90AMedium speed low Vsat PTVCE(sat) 1.50VIGBTs 5-40 kHz switchingtfi(typ) = 183nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C (limited by leads) 150 AIC110 TC = 110C (ch

Другие IGBT... IXGK60N60B2D1 , IXGK60N60C2D1 , IXGK64N60B3D1 , IXGK72N60A3H1 , IXGK72N60B3H1 , IXGK75N250 , IXGK82N120A3 , IXGK82N120B3 , GT30J124 , IXGL75N250 , IXGN100N170 , IXGN120N60A3 , IXGN120N60A3D1 , IXGN200N60A2 , IXGN200N60B3 , IXGN320N60A3 , IXGN400N30A3 .

History: OST25N65PMF | BSM100GB120DN2K | ATGH40N120F2DR | STGB15M65DF2 | BLQG50T65FDLA-F | IRGB4062DPBF

 

 
Back to Top

 


 
.