IXGL75N250 Todos los transistores

 

IXGL75N250 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGL75N250
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 430 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 110 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 225 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 345 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 410 nC
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS-I5-PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXGL75N250 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  ixys
 ixgl75n250.pdf pdf_icon

IXGL75N250

Preliminary Technical InformationHigh Voltage IGBT VCES = 2500VIXGL75N250IC90 = 65AFor Capacitor Discharge VCE(sat) 2.9VApplications( Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i5-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 2500 VVCES TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 2500 VGVGES Continuous 20 VEC Isolated TabVGEM Transie

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History: IXST15N120BD1 | HMG15N60 | NGTB20N120IHS | MGP4N60E | IGW30N60H3 | IXGN200N60B3 | IXGL200N60B3

 

 
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