IXGL75N250 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGL75N250
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 430 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 110 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 225 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 345 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 410 nC
Paquete / Cubierta: ISOPLUS-I5-PAK
Búsqueda de reemplazo de IXGL75N250 - IGBT
IXGL75N250 Datasheet (PDF)
ixgl75n250.pdf
Preliminary Technical InformationHigh Voltage IGBT VCES = 2500VIXGL75N250IC90 = 65AFor Capacitor Discharge VCE(sat) 2.9VApplications( Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i5-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 2500 VVCES TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 2500 VGVGES Continuous 20 VEC Isolated TabVGEM Transie
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Liste
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