IXGL75N250 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGL75N250

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 430 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 225 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 345 pF

Encapsulados: ISOPLUS-I5-PAK

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IXGL75N250 datasheet

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IXGL75N250

Preliminary Technical Information High Voltage IGBT VCES = 2500V IXGL75N250 IC90 = 65A For Capacitor Discharge VCE(sat) 2.9V Applications ( Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i5-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 2500 V VCES TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 2500 V G VGES Continuous 20 V E C Isolated Tab VGEM Transie

Otros transistores... IXGK60N60C2D1, IXGK64N60B3D1, IXGK72N60A3H1, IXGK72N60B3H1, IXGK75N250, IXGK82N120A3, IXGK82N120B3, IXGL200N60B3, FGH40N60SFD, IXGN100N170, IXGN120N60A3, IXGN120N60A3D1, IXGN200N60A2, IXGN200N60B3, IXGN320N60A3, IXGN400N30A3, IXGN400N60A3