Справочник IGBT. IXGL75N250

 

IXGL75N250 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGL75N250
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 430 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 110 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 225 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 345 pF
   Тип корпуса: ISOPLUS-I5-PAK
 

 Аналог (замена) для IXGL75N250

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGL75N250 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  ixys
 ixgl75n250.pdf pdf_icon

IXGL75N250

Preliminary Technical InformationHigh Voltage IGBT VCES = 2500VIXGL75N250IC90 = 65AFor Capacitor Discharge VCE(sat) 2.9VApplications( Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i5-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 2500 VVCES TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 2500 VGVGES Continuous 20 VEC Isolated TabVGEM Transie

Другие IGBT... IXGK60N60C2D1 , IXGK64N60B3D1 , IXGK72N60A3H1 , IXGK72N60B3H1 , IXGK75N250 , IXGK82N120A3 , IXGK82N120B3 , IXGL200N60B3 , GT50JR22 , IXGN100N170 , IXGN120N60A3 , IXGN120N60A3D1 , IXGN200N60A2 , IXGN200N60B3 , IXGN320N60A3 , IXGN400N30A3 , IXGN400N60A3 .

History: OST75N65HEM2F | AOK20B135D1 | IXGQ50N60C4D1

 

 
Back to Top

 


 
.