IXGL75N250 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGL75N250

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 430 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 110 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 225 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 345 pF

Тип корпуса: ISOPLUS-I5-PAK

 Аналог (замена) для IXGL75N250

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGL75N250 даташит

 ..1. Size:170K  ixys
 ixgl75n250.pdf pdf_icon

IXGL75N250

Preliminary Technical Information High Voltage IGBT VCES = 2500V IXGL75N250 IC90 = 65A For Capacitor Discharge VCE(sat) 2.9V Applications ( Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i5-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 2500 V VCES TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 2500 V G VGES Continuous 20 V E C Isolated Tab VGEM Transie

Другие IGBT... IXGK60N60C2D1, IXGK64N60B3D1, IXGK72N60A3H1, IXGK72N60B3H1, IXGK75N250, IXGK82N120A3, IXGK82N120B3, IXGL200N60B3, FGH40N60SFD, IXGN100N170, IXGN120N60A3, IXGN120N60A3D1, IXGN200N60A2, IXGN200N60B3, IXGN320N60A3, IXGN400N30A3, IXGN400N60A3