VBGT25N135 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBGT25N135
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1350 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 110 pF
Paquete / Cubierta: TO3PN
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VBGT25N135 Datasheet (PDF)
vbgt25n135.pdf
VBGT25N135www.VBsemi.comGeneral Description VBsemi Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energyefficiency and high avalanche ruggedness for soft switching application such as IH(induction heating), microwave oven, etc.FEATURES High speed switchingHigh ruggedness, temperature stable behaviorSoft current turn-off waveformsExtremely enhanced avala
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