VBGT25N135 Todos los transistores

 

VBGT25N135 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBGT25N135
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1350 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 110 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 280 nC
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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VBGT25N135 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1513K  cn vbsemi
 vbgt25n135.pdf pdf_icon

VBGT25N135

VBGT25N135www.VBsemi.comGeneral Description VBsemi Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energyefficiency and high avalanche ruggedness for soft switching application such as IH(induction heating), microwave oven, etc.FEATURES High speed switchingHigh ruggedness, temperature stable behaviorSoft current turn-off waveformsExtremely enhanced avala

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History: IXGH28N30B | APT40GP60J

 

 
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