VBGT25N135 - аналоги и описание IGBT

 

VBGT25N135 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: VBGT25N135

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1350 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF

Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для VBGT25N135

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

VBGT25N135 даташит

 ..1. Size:1513K  cn vbsemi
 vbgt25n135.pdf pdf_icon

VBGT25N135

VBGT25N135 www.VBsemi.com General Description VBsemi Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency and high avalanche ruggedness for soft switching application such as IH(induction heating), microwave oven, etc. FEATURES High speed switching High ruggedness, temperature stable behavior Soft current turn-off waveforms Extremely enhanced avala

Другие IGBT... CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 , VBGN40N120 , VBGN40N60 , VBGN50N60 , VBGT15N120 , VBGT15N120P , VBGT15N135 , SGP30N60 , VBGT30N135 , DG10X06T1 , DG10X12T2 , DG120X07T2 , DG15X06T1 , DG15X12T2 , DG20X06T2 , DG30X07T2 .

History: VS-GB400AH120U | SKM145GAR123D | SKM145GAX123D | VS-GB50LP120N | AP50G60SW | VS-GB75LA60UF | SGF80N60UF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.