IXGN320N60A3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGN320N60A3

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 735 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 320 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.05 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 68 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 985 pF

Encapsulados: SOT227B

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IXGN320N60A3 datasheet

 ..1. Size:166K  ixys
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IXGN320N60A3

VCES = 600V IXGN320N60A3 GenX3TM 600V IGBT IC25 = 320A VCE(sat) 1.25V Ultra-Low-Vsat PT IGBT for up to 5kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V G VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C (Chip Capability) 320 A

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