IXGN320N60A3 Todos los transistores

 

IXGN320N60A3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGN320N60A3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 735 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 320 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.05 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 68 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 985 pF
   Paquete / Cubierta: SOT227B
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXGN320N60A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  ixys
 ixgn320n60a3.pdf pdf_icon

IXGN320N60A3

VCES = 600VIXGN320N60A3GenX3TM 600V IGBTIC25 = 320AVCE(sat) 1.25VUltra-Low-Vsat PT IGBT forup to 5kHz SwitchingESOT-227B, miniBLOCSymbol Test Conditions Maximum Ratings E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VE VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VGVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VE IC25 TC = 25C (Chip Capability) 320 A

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History: IXGX120N60B

 

 
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