IXGN320N60A3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGN320N60A3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 735 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 320 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.05 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 68 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 985 pF

Тип корпуса: SOT227B

 Аналог (замена) для IXGN320N60A3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGN320N60A3 даташит

 ..1. Size:166K  ixys
 ixgn320n60a3.pdf pdf_icon

IXGN320N60A3

VCES = 600V IXGN320N60A3 GenX3TM 600V IGBT IC25 = 320A VCE(sat) 1.25V Ultra-Low-Vsat PT IGBT for up to 5kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V G VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C (Chip Capability) 320 A

Другие IGBT... IXGK82N120B3, IXGL200N60B3, IXGL75N250, IXGN100N170, IXGN120N60A3, IXGN120N60A3D1, IXGN200N60A2, IXGN200N60B3, IXGH60N60, IXGN400N30A3, IXGN400N60A3, IXGN400N60B3, IXGN50N120C3H1, IXGN60N60C2, IXGN60N60C2D1, IXGN72N60A3, IXGN72N60C3H1