IXGN60N60C2D1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGN60N60C2D1

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 480 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 530 pF

Encapsulados: SOT227B

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IXGN60N60C2D1 datasheet

..1. Size:149K ixys
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HiPerFASTTM IGBTs VCES = 600V IXGN60N60C2 with Diode IC110 = 60A IXGN60N60C2D1 VCE(sat) 2.5V trr = 35ns C2-Class High Speed IGBTs E E SOT-227B, miniBLOC E153432 60C2 60C2D1 E Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1 M 600 V E VGES Continuous 20 V C VGEM Transient 30 V IC25 TC

3.1. Size:149K ixys
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5.1. Size:67K ixys
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Ultra-Low VCE(sat) IGBT IXGN 60N60 VCES = 600 V IC25 = 100 A VCE(sat) = 1.7 V Preliminary data sheet E Symbol Test Conditions Maximum Ratings SOT-227B miniBLOC E VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C 100 A C IC90 TC = 90 C60 A G = Gate, C = Collector, E = Emitter ICM TC

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