IXGN60N60C2D1 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXGN60N60C2D1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 530 pF
Тип корпуса: SOT227B
Аналог (замена) для IXGN60N60C2D1
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXGN60N60C2D1 даташит
ixgn60n60c2d1.pdf
HiPerFASTTM IGBTs VCES = 600V IXGN60N60C2 with Diode IC110 = 60A IXGN60N60C2D1 VCE(sat) 2.5V trr = 35ns C2-Class High Speed IGBTs E E SOT-227B, miniBLOC E153432 60C2 60C2D1 E Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1 M 600 V E VGES Continuous 20 V C VGEM Transient 30 V IC25 TC
ixgn60n60c2.pdf
HiPerFASTTM IGBTs VCES = 600V IXGN60N60C2 with Diode IC110 = 60A IXGN60N60C2D1 VCE(sat) 2.5V trr = 35ns C2-Class High Speed IGBTs E E SOT-227B, miniBLOC E153432 60C2 60C2D1 E Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1 M 600 V E VGES Continuous 20 V C VGEM Transient 30 V IC25 TC
ixgn60n60.pdf
Ultra-Low VCE(sat) IGBT IXGN 60N60 VCES = 600 V IC25 = 100 A VCE(sat) = 1.7 V Preliminary data sheet E Symbol Test Conditions Maximum Ratings SOT-227B miniBLOC E VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C 100 A C IC90 TC = 90 C60 A G = Gate, C = Collector, E = Emitter ICM TC
Другие IGBT... IXGN200N60A2, IXGN200N60B3, IXGN320N60A3, IXGN400N30A3, IXGN400N60A3, IXGN400N60B3, IXGN50N120C3H1, IXGN60N60C2, SGT40N60NPFDPN, IXGN72N60A3, IXGN72N60C3H1, IXGN82N120B3H1, IXGN82N120C3H1, IXGP12N120A2, IXGP12N120A3, IXGP12N60B, IXGP14N120B
History: IXGN50N120C3H1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906



