IXGN72N60C3H1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGN72N60C3H1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 360 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 78 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 37 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 330 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 174 nC
Paquete / Cubierta: SOT227B
Búsqueda de reemplazo de IXGN72N60C3H1 - IGBT
IXGN72N60C3H1 Datasheet (PDF)
ixgn72n60c3h1.pdf
GenX3TM 600V IGBT VCES = 600VIXGN72N60C3H1with Diode IC110 = 52AVCE(sat) 2.50Vtfi(typ) = 55nsHigh-Speed Low-Vsat PTIGBTs 40-100 kHz SwitchingSOT-227B, miniBLOC E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsE VCES TJ = 25C to 150C 600 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VE IC25 TC
ixgn72n60a3.pdf
Preliminary Technical InformationVCES = 600VIXGN72N60A3GenX3TM 600V IGBTIC110 = 68AVCE(sat) 1.35VUltra Low Vsat PT IGBT forup to 5kHz switchingESOT-227B, miniBLOCSymbol Test Conditions Maximum Ratings E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VE VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VGVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC
Otros transistores... IXGN320N60A3 , IXGN400N30A3 , IXGN400N60A3 , IXGN400N60B3 , IXGN50N120C3H1 , IXGN60N60C2 , IXGN60N60C2D1 , IXGN72N60A3 , BT40T60ANF , IXGN82N120B3H1 , IXGN82N120C3H1 , IXGP12N120A2 , IXGP12N120A3 , IXGP12N60B , IXGP14N120B , IXGP15N120B2 , IXGP15N120C .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2