IXGN72N60C3H1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGN72N60C3H1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 78 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 37 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 330 pF

Тип корпуса: SOT227B

 Аналог (замена) для IXGN72N60C3H1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGN72N60C3H1 даташит

 ..1. Size:221K  ixys
 ixgn72n60c3h1.pdf pdf_icon

IXGN72N60C3H1

GenX3TM 600V IGBT VCES = 600V IXGN72N60C3H1 with Diode IC110 = 52A VCE(sat) 2.50V tfi(typ) = 55ns High-Speed Low-Vsat PT IGBTs 40-100 kHz Switching SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V E IC25 TC

 5.1. Size:182K  ixys
 ixgn72n60a3.pdf pdf_icon

IXGN72N60C3H1

Preliminary Technical Information VCES = 600V IXGN72N60A3 GenX3TM 600V IGBT IC110 = 68A VCE(sat) 1.35V Ultra Low Vsat PT IGBT for up to 5kHz switching E SOT-227B, miniBLOC Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V G VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC

Другие IGBT... IXGN320N60A3, IXGN400N30A3, IXGN400N60A3, IXGN400N60B3, IXGN50N120C3H1, IXGN60N60C2, IXGN60N60C2D1, IXGN72N60A3, CRG60T60AN3H, IXGN82N120B3H1, IXGN82N120C3H1, IXGP12N120A2, IXGP12N120A3, IXGP12N60B, IXGP14N120B, IXGP15N120B2, IXGP15N120C