VBGT30N135 Todos los transistores

 

VBGT30N135 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBGT30N135
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 278 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1350 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 120 pF
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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VBGT30N135 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1517K  cn vbsemi
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VBGT30N135

VBGT30N135www.VBsemi.comGeneral Description VBsemi Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energyefficiency and high avalanche ruggedness for soft switching application such as IH(induction heating), microwave oven, etc.FEATURES High speed switchingHigh ruggedness, temperature stable behaviorSoft current turn-off waveformsExtremely enhanced avala

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History: IXGH16N170A | DGD06F65M2 | CM800E6C-66H

 

 
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