VBGT30N135 - аналоги и описание IGBT

 

VBGT30N135 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: VBGT30N135

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1350 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF

Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для VBGT30N135

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

VBGT30N135 даташит

 ..1. Size:1517K  cn vbsemi
 vbgt30n135.pdf pdf_icon

VBGT30N135

VBGT30N135 www.VBsemi.com General Description VBsemi Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency and high avalanche ruggedness for soft switching application such as IH(induction heating), microwave oven, etc. FEATURES High speed switching High ruggedness, temperature stable behavior Soft current turn-off waveforms Extremely enhanced avala

Другие IGBT... CY25AAJ-8 , VBGN40N120 , VBGN40N60 , VBGN50N60 , VBGT15N120 , VBGT15N120P , VBGT15N135 , VBGT25N135 , IKW50N60H3 , DG10X06T1 , DG10X12T2 , DG120X07T2 , DG15X06T1 , DG15X12T2 , DG20X06T2 , DG30X07T2 , HGTG12N60D1D .

History: SKM145GAX123D | SKM145GAR123D | VS-GB400AH120U | VS-GB75LA60UF | VS-GB50LP120N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.