Справочник IGBT. VBGT30N135

 

VBGT30N135 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: VBGT30N135
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1350 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF
   Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для VBGT30N135

 

 

VBGT30N135 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1517K  cn vbsemi
 vbgt30n135.pdf

VBGT30N135 VBGT30N135

VBGT30N135www.VBsemi.comGeneral Description VBsemi Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energyefficiency and high avalanche ruggedness for soft switching application such as IH(induction heating), microwave oven, etc.FEATURES High speed switchingHigh ruggedness, temperature stable behaviorSoft current turn-off waveformsExtremely enhanced avala

Другие IGBT... CY25AAJ-8 , VBGN40N120 , VBGN40N60 , VBGN50N60 , VBGT15N120 , VBGT15N120P , VBGT15N135 , VBGT25N135 , IKW50N60H3 , DG10X06T1 , DG10X12T2 , DG120X07T2 , DG15X06T1 , DG15X12T2 , DG20X06T2 , DG30X07T2 , HGTG12N60D1D .

 

 
Back to Top