IXGN82N120C3H1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGN82N120C3H1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 595 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 130 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 77 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 685 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 340 nC
Paquete / Cubierta: SOT227B
Búsqueda de reemplazo de IXGN82N120C3H1 - IGBT
IXGN82N120C3H1 Datasheet (PDF)
ixgn82n120c3h1.pdf
Advance Technical InformationVCES = 1200VGenX3TM 1200VIXGN82N120C3H1IC110 = 58AIGBT w/ DiodeVCE(sat) 3.9VHigh-Speed PT IGBT for20-50 kHz SwitchingSOT-227B, miniBLOC E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsE VCES TJ = 25C to 150C 1200 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VE
ixgn82n120b3h1.pdf
Advance Technical InformationVCES = 1200VGenX3TM 1200VIXGN82N120B3H1IC110 = 64AIGBT w/ DiodeVCE(sat) 3.2VHigh-Speed Low-Vsat PT IGBTfor 3-20 kHz SwitchingSOT-227B, miniBLOC E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsE VCES TJ = 25C to 150C 1200 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient
ixgn80n60a2d1.pdf
Advanced Technical DataIXGN 80N60A2 VCES = 600 VIGBTIXGN 80N60A2D1 IC25 = 160 AOptimized for Switching VCE(sat) = 1.35 Vup to 5 kHzE D1Symbol Test Conditions Maximum Ratings SOT-227B, miniBLOC E153432E VCES TJ = 25C to 150C 600 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VE IC25 TC = 25C 160 ACIC110 TC =
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Liste
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