IXGN82N120C3H1 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXGN82N120C3H1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 595 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 130 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.3 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 77 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 685 pF
Тип корпуса: SOT227B
Аналог (замена) для IXGN82N120C3H1
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXGN82N120C3H1 даташит
ixgn82n120c3h1.pdf
Advance Technical Information VCES = 1200V GenX3TM 1200V IXGN82N120C3H1 IC110 = 58A IGBT w/ Diode VCE(sat) 3.9V High-Speed PT IGBT for 20-50 kHz Switching SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V E
ixgn82n120b3h1.pdf
Advance Technical Information VCES = 1200V GenX3TM 1200V IXGN82N120B3H1 IC110 = 64A IGBT w/ Diode VCE(sat) 3.2V High-Speed Low-Vsat PT IGBT for 3-20 kHz Switching SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient
ixgn80n60a2d1.pdf
Advanced Technical Data IXGN 80N60A2 VCES = 600 V IGBT IXGN 80N60A2D1 IC25 = 160 A Optimized for Switching VCE(sat) = 1.35 V up to 5 kHz E D1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings SOT-227B, miniBLOC E153432 E VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C 160 A C IC110 TC =
Другие IGBT... IXGN400N60A3, IXGN400N60B3, IXGN50N120C3H1, IXGN60N60C2, IXGN60N60C2D1, IXGN72N60A3, IXGN72N60C3H1, IXGN82N120B3H1, BT40T60ANF, IXGP12N120A2, IXGP12N120A3, IXGP12N60B, IXGP14N120B, IXGP15N120B2, IXGP15N120C, IXGP16N60B2, IXGP16N60B2D1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606



