SL75T120FZ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL75T120FZ
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 115 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 470 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 312 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 270 nC
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de SL75T120FZ IGBT
SL75T120FZ Datasheet (PDF)
sl75t120fz.pdf

SL75T120FZFeatures V = 1.85V@V = 15V,I = 75ACE(sat)(typ.) GE C High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveformsApplications UPS AC & DC motor controls general purpose inverter .Absolute Ratings(Tc=25)Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage V 1200 VceI 115 ACCollector Current-continuous T=25T
Otros transistores... IXGP48N60B3 , IXGP48N60C3 , IXGP4N100 , IXGP50N60B4 , IXGP50N60C4 , IXGP7N60BD1 , IXGP7N60CD1 , IXGQ20N120B , TGD30N40P , IXGQ50N60B4D1 , IXGQ50N60C4D1 , IXGR120N60B , IXGR120N60C2 , IXGR12N60C , IXGR16N170AH1 , IXGR24N120C3D1 , IXGR24N60C .
History: MG50Q6ES40 | APT50GT60BRDLG | BLG60T65FUL-F | MP6757 | 1MBI150NK-060 | IRGIB4620DPBF | RJH60D3DPE
History: MG50Q6ES40 | APT50GT60BRDLG | BLG60T65FUL-F | MP6757 | 1MBI150NK-060 | IRGIB4620DPBF | RJH60D3DPE



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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