SL75T120FZ - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SL75T120FZ
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 115 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 470 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 312 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 270 nC
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для SL75T120FZ
SL75T120FZ Datasheet (PDF)
sl75t120fz.pdf
SL75T120FZFeatures V = 1.85V@V = 15V,I = 75ACE(sat)(typ.) GE C High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveformsApplications UPS AC & DC motor controls general purpose inverter .Absolute Ratings(Tc=25)Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage V 1200 VceI 115 ACCollector Current-continuous T=25T
Другие IGBT... IXGP48N60B3 , IXGP48N60C3 , IXGP4N100 , IXGP50N60B4 , IXGP50N60C4 , IXGP7N60BD1 , IXGP7N60CD1 , IXGQ20N120B , TGPF30N43P , IXGQ50N60B4D1 , IXGQ50N60C4D1 , IXGR120N60B , IXGR120N60C2 , IXGR12N60C , IXGR16N170AH1 , IXGR24N120C3D1 , IXGR24N60C .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2