SL75T120FZ - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SL75T120FZ
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 115 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 470 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 312 pF
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для SL75T120FZ
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SL75T120FZ даташит
sl75t120fz.pdf
SL75T120FZ Features V = 1.85V@V = 15V,I = 75A CE(sat)(typ.) GE C High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Applications UPS AC & DC motor controls general purpose inverter . Absolute Ratings(Tc=25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector-Emmiter Voltage V 1200 V ce I 115 A C Collector Current-continuous T=25 T
Другие IGBT... IXGP48N60B3, IXGP48N60C3, IXGP4N100, IXGP50N60B4, IXGP50N60C4, IXGP7N60BD1, IXGP7N60CD1, IXGQ20N120B, CRG75T60AK3HD, IXGQ50N60B4D1, IXGQ50N60C4D1, IXGR120N60B, IXGR120N60C2, IXGR12N60C, IXGR16N170AH1, IXGR24N120C3D1, IXGR24N60C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay

