SL75T120FZ Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SL75T120FZ
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 115 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 470 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 312 pF
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для SL75T120FZ
SL75T120FZ Datasheet (PDF)
sl75t120fz.pdf

SL75T120FZFeatures V = 1.85V@V = 15V,I = 75ACE(sat)(typ.) GE C High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveformsApplications UPS AC & DC motor controls general purpose inverter .Absolute Ratings(Tc=25)Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage V 1200 VceI 115 ACCollector Current-continuous T=25T
Другие IGBT... IXGP48N60B3 , IXGP48N60C3 , IXGP4N100 , IXGP50N60B4 , IXGP50N60C4 , IXGP7N60BD1 , IXGP7N60CD1 , IXGQ20N120B , TGD30N40P , IXGQ50N60B4D1 , IXGQ50N60C4D1 , IXGR120N60B , IXGR120N60C2 , IXGR12N60C , IXGR16N170AH1 , IXGR24N120C3D1 , IXGR24N60C .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay