IXGR24N120C3D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGR24N120C3D1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 48 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 26 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 179 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 79 nC
Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
Búsqueda de reemplazo de IXGR24N120C3D1 - IGBT
IXGR24N120C3D1 Datasheet (PDF)
ixgr24n120c3d1.pdf
Preliminary Technical InformationVCES = 1200VGenX3TM 1200V IGBT IXGR24N120C3D1IC25 = 48AVCE(sat) 4.2VHigh speed PT IGBTs fortfi(typ) = 110ns20-50kHz SwitchingISOPLUS 247TM (IXGR)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCIC25
ixgr24n60c.pdf
VCES = 600 VIXGR 24N60CHiPerFASTTM IGBTIC25 = 42 AISOPLUS247TMVCE(sat) = 2.5 V(Electrically Isolated Back Surface)tfi(typ) = 60 nsPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS 247E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCE Isolated Backside*IC25 TC =
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Liste
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