IXGR24N120C3D1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGR24N120C3D1

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 48 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.6 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 26 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 179 pF

Encapsulados: ISOPLUS247

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IXGR24N120C3D1 datasheet

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IXGR24N120C3D1

Preliminary Technical Information VCES = 1200V GenX3TM 1200V IGBT IXGR24N120C3D1 IC25 = 48A VCE(sat) 4.2V High speed PT IGBTs for tfi(typ) = 110ns 20-50kHz Switching ISOPLUS 247TM (IXGR) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C IC25

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IXGR24N120C3D1

VCES = 600 V IXGR 24N60C HiPerFASTTM IGBT IC25 = 42 A ISOPLUS247TM VCE(sat) = 2.5 V (Electrically Isolated Back Surface) tfi(typ) = 60 ns Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247 E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C E Isolated Backside* IC25 TC =

Otros transistores... IXGQ20N120B, SL75T120FZ, IXGQ50N60B4D1, IXGQ50N60C4D1, IXGR120N60B, IXGR120N60C2, IXGR12N60C, IXGR16N170AH1, IHW40T60, IXGR24N60C, IXGR32N170AH1, IXGR32N170H1, IXGR32N90B2D1, IXGR35N120B, IXGR35N120BD1, IXGR35N120C, IXGR39N60B