IXGR24N120C3D1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGR24N120C3D1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 48 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 26 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 179 pF

Тип корпуса: ISOPLUS247

 Аналог (замена) для IXGR24N120C3D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGR24N120C3D1 даташит

 ..1. Size:160K  ixys
 ixgr24n120c3d1.pdf pdf_icon

IXGR24N120C3D1

Preliminary Technical Information VCES = 1200V GenX3TM 1200V IGBT IXGR24N120C3D1 IC25 = 48A VCE(sat) 4.2V High speed PT IGBTs for tfi(typ) = 110ns 20-50kHz Switching ISOPLUS 247TM (IXGR) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C IC25

 7.1. Size:54K  ixys
 ixgr24n60c.pdf pdf_icon

IXGR24N120C3D1

VCES = 600 V IXGR 24N60C HiPerFASTTM IGBT IC25 = 42 A ISOPLUS247TM VCE(sat) = 2.5 V (Electrically Isolated Back Surface) tfi(typ) = 60 ns Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247 E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C E Isolated Backside* IC25 TC =

Другие IGBT... IXGQ20N120B, SL75T120FZ, IXGQ50N60B4D1, IXGQ50N60C4D1, IXGR120N60B, IXGR120N60C2, IXGR12N60C, IXGR16N170AH1, IHW40T60, IXGR24N60C, IXGR32N170AH1, IXGR32N170H1, IXGR32N90B2D1, IXGR35N120B, IXGR35N120BD1, IXGR35N120C, IXGR39N60B