Справочник IGBT. IXGR24N120C3D1

 

IXGR24N120C3D1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGR24N120C3D1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 48 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 26 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 179 pF
   Тип корпуса: ISOPLUS247

 Аналог (замена) для IXGR24N120C3D1

 

 

IXGR24N120C3D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  ixys
 ixgr24n120c3d1.pdf

IXGR24N120C3D1 IXGR24N120C3D1

Preliminary Technical InformationVCES = 1200VGenX3TM 1200V IGBT IXGR24N120C3D1IC25 = 48AVCE(sat) 4.2VHigh speed PT IGBTs fortfi(typ) = 110ns20-50kHz SwitchingISOPLUS 247TM (IXGR)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCIC25

 7.1. Size:54K  ixys
 ixgr24n60c.pdf

IXGR24N120C3D1 IXGR24N120C3D1

VCES = 600 VIXGR 24N60CHiPerFASTTM IGBTIC25 = 42 AISOPLUS247TMVCE(sat) = 2.5 V(Electrically Isolated Back Surface)tfi(typ) = 60 nsPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS 247E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCE Isolated Backside*IC25 TC =

Другие IGBT... IXGQ20N120B , SL75T120FZ , IXGQ50N60B4D1 , IXGQ50N60C4D1 , IXGR120N60B , IXGR120N60C2 , IXGR12N60C , IXGR16N170AH1 , GT30F125 , IXGR24N60C , IXGR32N170AH1 , IXGR32N170H1 , IXGR32N90B2D1 , IXGR35N120B , IXGR35N120BD1 , IXGR35N120C , IXGR39N60B .

 

 
Back to Top