SIG25N60F Todos los transistores

 

SIG25N60F - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIG25N60F
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 43 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 93 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 23 nC
   Paquete / Cubierta: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de SIG25N60F - IGBT

 

SIG25N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1218K  cn super semi
sig25n60f sig25n60p sig25n60w sig25n60b.pdf

SIG25N60F
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SUPER-SEMISuper Junction Insulated Gate Bipolar Transistor600V Trench and Super Junction IGBTSIG25N60*Rev. 0.3Sep.2021www.supersemi.com.cnSIG25N60F/SIG25N60P/SIG25N60W/SIG25N60B600V Trench and Super Junction IGBTGeneral DescriptionSuper-Semi Trench and Super Junction IGBTs, VCE 600 Vdesigned according to the superjunction (SJ) IC 25 Aprinciple. The SJ-IGBT series pr

 9.1. Size:275K  powersem
psig25-06.pdf

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ECO-PACTM 2IGBT Module IC25 = 24.5 APSIG 25/06VCES = 600 VPSI 25/06*Short Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA VCE(sat)typ.= 2.4 VPSIS 25/06*PSSI 25/06*Preliminary Data SheetLN 9 S18 A1 JK 10PSIGP 9PSIL 9E 2PSI 25/06* PSIS 25/06*PSIG 25/06 PSSI 25/06*G 1 0X 1 3K 1 0*NTC optionalN T CIGBTsX 1 6X 1 5X 1 8Symbol Conditions Maximum Ratings X 15

 9.2. Size:277K  powersem
psig25-12.pdf

SIG25N60F
SIG25N60F

ECO-PACTM 2IGBT Module IC25 = 30 APSIG 25/12Short Circuit SOA CapabilityVCES = 1200 VPSI 25/12*Square RBSOAVCE(sat)typ.= 2.6 VPSIS 25/12*PSSI 25/12*Preliminary Data SheetLN 9 S18 A1 JK 10PSIGP 9PSIL 9E 2PSI 25/12* PSIS 25/12*PSIG 25/12 PSSI 25/12*G 10X 13*NTC optional K 10IGBTsN TCX 16X 15X 18Symbol Conditions Maximum RatingsX 15VCES TVJ

Otros transistores... DG120X07T2 , DG15X06T1 , DG15X12T2 , DG20X06T2 , DG30X07T2 , HGTG12N60D1D , SIG20N60F , SIG20N60P , NCE80TD65BT , SIG25N60P , SIG25N60W , SIG25N60B , SIG30N60P , SIG30N60W , DG40F12T2 , DG40H12T2Y , DG50H12T2Z .

 

 
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