IXGT30N60B IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGT30N60B

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3(max) V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 210 pF

Encapsulados: TO268

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IXGT30N60B datasheet

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IXGT30N60B

IXGH 32N60B HiPerFASTTM IGBT VCES = 600 V IXGT 32N60B IC25 = 60 A IXGH 32N60BD1 VCE(sat) = 2.3 V IXGT 32N60BD1 tfi(typ) = 85 ns (D1) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V E C VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V (TAB) VGES Continuous 20 V TO-247 AD VGEM Transient 30 V (IXGH) IC25 TC = 25 C60 A IC90 TC = 90 C3

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IXGT30N60B

Advance Technical Data VCES = 600 V IXGH 30N60B2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 70 A IXGT 30N60B2 VCE(sat)

 0.2. Size:578K  ixys
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IXGT30N60B

Advance Technical Data VCES = 600 V IXGH 30N60B2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 70 A IXGT 30N60B2 VCE(sat)

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IXGT30N60B

Advance Technical Data VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGH 30N60B2D1 IC25 = 70 A IXGT 30N60B2D1 VCE(sat)

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