IXGT30N60B - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

IXGT30N60B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: IXGT30N60B
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 210 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 110 nC
   Тип корпуса: TO268

Аналог (замена) для IXGT30N60B

IXGT30N60B Datasheet (PDF)

..1. Size:125K ixys
ixgt30n60b.pdf

IXGH 32N60BHiPerFASTTM IGBT VCES = 600 VIXGT 32N60BIC25 = 60 AIXGH 32N60BD1VCE(sat) = 2.3 VIXGT 32N60BD1tfi(typ) = 85 ns(D1)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-268(IXGT)GVCES TJ = 25C to 150C 600 VECVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 V(TAB)VGES Continuous 20 VTO-247 ADVGEM Transient 30 V(IXGH)IC25 TC = 25C60 AIC90 TC = 90C3

0.1. Size:576K ixys
ixgt30n60b2.pdf