IXGT30N60B2D1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGT30N60B2D1

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 190 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8(max) V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 15 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 145 pF

Encapsulados: TO268

Búsqueda de reemplazo de IXGT30N60B2D1 IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

IXGT30N60B2D1 datasheet

..1. Size:506K ixys
ixgt30n60b2d1.pdf pdf_icon

Advance Technical Data VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGH 30N60B2D1 IC25 = 70 A IXGT 30N60B2D1 VCE(sat)

..2. Size:600K ixys
ixgh30n60b2d1 ixgt30n60b2d1.pdf pdf_icon

Advance Technical Data VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGH 30N60B2D1 IC25 = 70 A IXGT 30N60B2D1 VCE(sat)

3.1. Size:576K ixys
ixgt30n60b2.pdf pdf_icon

Advance Technical Data VCES = 600 V IXGH 30N60B2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 70 A IXGT 30N60B2 VCE(sat)

3.2. Size:578K ixys
ixgh30n60b2 ixgt30n60b2.pdf pdf_icon

Advance Technical Data VCES = 600 V IXGH 30N60B2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 70 A IXGT 30N60B2 VCE(sat)