IXGT30N60B2D1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGT30N60B2D1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 145 pF

Тип корпуса: TO268

 Аналог (замена) для IXGT30N60B2D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGT30N60B2D1 даташит

 ..1. Size:506K  ixys
 ixgt30n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGT30N60B2D1

Advance Technical Data VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGH 30N60B2D1 IC25 = 70 A IXGT 30N60B2D1 VCE(sat)

 ..2. Size:600K  ixys
 ixgh30n60b2d1 ixgt30n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGT30N60B2D1

Advance Technical Data VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGH 30N60B2D1 IC25 = 70 A IXGT 30N60B2D1 VCE(sat)

 3.1. Size:576K  ixys
 ixgt30n60b2.pdf pdf_icon

IXGT30N60B2D1

Advance Technical Data VCES = 600 V IXGH 30N60B2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 70 A IXGT 30N60B2 VCE(sat)

 3.2. Size:578K  ixys
 ixgh30n60b2 ixgt30n60b2.pdf pdf_icon

IXGT30N60B2D1

Advance Technical Data VCES = 600 V IXGH 30N60B2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 70 A IXGT 30N60B2 VCE(sat)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGT25N250, IXGT28N120B, IXGT28N120BD1, IXGT28N60BD1, IXGT2N250, IXGT30N120B3D1, IXGT30N60B, IXGT30N60B2, MBQ50T65FDSC, IXGT30N60C2, IXGT30N60C2D1, IXGT30N60C3D1, IXGT32N100A3, IXGT32N120A3, IXGT32N170, IXGT32N170A, IXGT32N60C