Справочник IGBT. IXGT30N60B2D1

 

IXGT30N60B2D1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGT30N60B2D1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8(max) V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 145 pF
   Тип корпуса: TO268
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGT30N60B2D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:506K  ixys
 ixgt30n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGT30N60B2D1

Advance Technical DataVCES = 600 VHiPerFASTTM IGBT IXGH 30N60B2D1IC25 = 70 AIXGT 30N60B2D1VCE(sat)

 ..2. Size:600K  ixys
 ixgh30n60b2d1 ixgt30n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGT30N60B2D1

Advance Technical DataVCES = 600 VHiPerFASTTM IGBT IXGH 30N60B2D1IC25 = 70 AIXGT 30N60B2D1VCE(sat)

 3.1. Size:576K  ixys
 ixgt30n60b2.pdf pdf_icon

IXGT30N60B2D1

Advance Technical DataVCES = 600 VIXGH 30N60B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 70 AIXGT 30N60B2VCE(sat)

 3.2. Size:578K  ixys
 ixgh30n60b2 ixgt30n60b2.pdf pdf_icon

IXGT30N60B2D1

Advance Technical DataVCES = 600 VIXGH 30N60B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 70 AIXGT 30N60B2VCE(sat)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGT25N250 , IXGT28N120B , IXGT28N120BD1 , IXGT28N60BD1 , IXGT2N250 , IXGT30N120B3D1 , IXGT30N60B , IXGT30N60B2 , GT45F122 , IXGT30N60C2 , IXGT30N60C2D1 , IXGT30N60C3D1 , IXGT32N100A3 , IXGT32N120A3 , IXGT32N170 , IXGT32N170A , IXGT32N60C .

History: STGP10NB60S

 

 
Back to Top

 


 
.