IXGV25N250S Todos los transistores

 

IXGV25N250S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGV25N250S
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.9(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 233 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 75 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 75 nC
   Paquete / Cubierta: PLUS220SMD
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXGV25N250S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  ixys
 ixgv25n250s.pdf pdf_icon

IXGV25N250S

Preliminary Technical InformationIXGH25N250 VCES = 2500 VHigh Voltage IGBTIXGT25N250 IC25 = 60 AFor Capacitor DischargeApplications IXGV25N250S VCE(sat) 2.9 VTO-247 (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 2500 V CC (TAB)EVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 2500 VVGES Continuous 20 VTO-268 (IXGT)VGEM Transi

Otros transistores... IXGT60N60C2 , IXGT60N60C3D1 , IXGT64N60A3 , IXGT64N60B3 , IXGT6N170 , IXGT6N170A , IXGT72N60A3 , IXGT72N60B3 , STGW60V60DF , IXGX100N170 , IXGX120N120A3 , IXGX120N120B3 , IXGX120N60A3 , IXGX120N60B3 , IXGX120N60C2 , IXGX12N90C , IXGX28N140B3H1 .

History: NCE75TD120BTP4 | IRG4BC20K

 

 
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