IXGV25N250S - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGV25N250S

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 233 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 75 pF

Тип корпуса: PLUS220SMD

 Аналог (замена) для IXGV25N250S

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGV25N250S даташит

 ..1. Size:173K  ixys
 ixgv25n250s.pdf pdf_icon

IXGV25N250S

Preliminary Technical Information IXGH25N250 VCES = 2500 V High Voltage IGBT IXGT25N250 IC25 = 60 A For Capacitor Discharge Applications IXGV25N250S VCE(sat) 2.9 V TO-247 (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 2500 V C C (TAB) E VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 2500 V VGES Continuous 20 V TO-268 (IXGT) VGEM Transi

Другие IGBT... IXGT60N60C2, IXGT60N60C3D1, IXGT64N60A3, IXGT64N60B3, IXGT6N170, IXGT6N170A, IXGT72N60A3, IXGT72N60B3, TGPF30N43P, IXGX100N170, IXGX120N120A3, IXGX120N120B3, IXGX120N60A3, IXGX120N60B3, IXGX120N60C2, IXGX12N90C, IXGX28N140B3H1