SIG30N60W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIG30N60W  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 170 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 93 pF

Encapsulados: TO247

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SIG30N60W datasheet

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SIG30N60W

SUPER-SEMI Super Junction Insulated Gate Bipolar Transistor 600V Trench and Super Junction IGBT SIG30N60* Rev. 0.2 Jul.2021 www.supersemi.com.cn SIG30N60P/SIG30N60W 600V Trench and Super Junction IGBT General Description Super-Semi Trench and Super Junction IGBTs, VCE 600 V designed according to the superjunction (SJ) IC 30 A principle. The SJ-IGBT series provides low VCE(sat

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