SIG30N60W - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIG30N60W
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 170 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 93 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 23 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SIG30N60W - IGBT
SIG30N60W Datasheet (PDF)
sig30n60p sig30n60w.pdf
SUPER-SEMISuper Junction Insulated Gate Bipolar Transistor600V Trench and Super Junction IGBTSIG30N60*Rev. 0.2Jul.2021www.supersemi.com.cnSIG30N60P/SIG30N60W600V Trench and Super Junction IGBTGeneral DescriptionSuper-Semi Trench and Super Junction IGBTs, VCE 600 Vdesigned according to the superjunction (SJ) IC 30 Aprinciple. The SJ-IGBT series provides low VCE(sat
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Liste
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