Справочник IGBT. SIG30N60W

 

SIG30N60W - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SIG30N60W
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 93 pF
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SIG30N60W

 

 

SIG30N60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1146K  cn super semi
 sig30n60p sig30n60w.pdf

SIG30N60W SIG30N60W

SUPER-SEMISuper Junction Insulated Gate Bipolar Transistor600V Trench and Super Junction IGBTSIG30N60*Rev. 0.2Jul.2021www.supersemi.com.cnSIG30N60P/SIG30N60W600V Trench and Super Junction IGBTGeneral DescriptionSuper-Semi Trench and Super Junction IGBTs, VCE 600 Vdesigned according to the superjunction (SJ) IC 30 Aprinciple. The SJ-IGBT series provides low VCE(sat

Другие IGBT... HGTG12N60D1D , SIG20N60F , SIG20N60P , SIG25N60F , SIG25N60P , SIG25N60W , SIG25N60B , SIG30N60P , XNF15N60T , DG40F12T2 , DG40H12T2Y , DG50H12T2Z , DG50X07T2 , DG75H12T2 , DG75X07T2L , DG75X12T2 , MSG100D350FHS .

 

 
Back to Top