Справочник IGBT. G3N60C3D

 

G3N60C3D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: G3N60C3D

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 33W

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6A

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 5

Корпус: TO220AB

Аналог (замена) для G3N60C3D

 

 

G3N60C3D Datasheet (PDF)

No PDF!

Другие IGBT... G12N60D1 , G20N120E2 , G20N60B3 , G20N60B3D , G30N60C3 , G30N60C3D , G34N100E2 , G3N60C , IRGB20B60PD1 , G40N60B3 , G6N40E , G6N40E1D , G6N50E , G6N50E1D , G7N60C , G7N60C3 , G7N60C3D .

Back to Top

 


G3N60C3D
  G3N60C3D
  G3N60C3D
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: RJP30H2A | GT50JR22 | IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB |
 


 

 

Back to Top