SIG30N60W - аналоги и описание IGBT

 

SIG30N60W - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SIG30N60W

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 93 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SIG30N60W

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SIG30N60W даташит

 ..1. Size:1146K  cn super semi
 sig30n60p sig30n60w.pdf pdf_icon

SIG30N60W

SUPER-SEMI Super Junction Insulated Gate Bipolar Transistor 600V Trench and Super Junction IGBT SIG30N60* Rev. 0.2 Jul.2021 www.supersemi.com.cn SIG30N60P/SIG30N60W 600V Trench and Super Junction IGBT General Description Super-Semi Trench and Super Junction IGBTs, VCE 600 V designed according to the superjunction (SJ) IC 30 A principle. The SJ-IGBT series provides low VCE(sat

Другие IGBT... HGTG12N60D1D , SIG20N60F , SIG20N60P , SIG25N60F , SIG25N60P , SIG25N60W , SIG25N60B , SIG30N60P , IRG4PC50UD , DG40F12T2 , DG40H12T2Y , DG50H12T2Z , DG50X07T2 , DG75H12T2 , DG75X07T2L , DG75X12T2 , MSG100D350FHS .

History: XNS25N120T | TGH40N60F2D | VS-ETL015Y120H | T0800EB45G | RJP5001APP-00 | STGB19NC60W

 

 

 

 

↑ Back to Top
.