DG40F12T2 Todos los transistores

 

DG40F12T2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DG40F12T2
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 707 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.8 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 35 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 310 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

DG40F12T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:161K  cn starpower
 dg40f12t2.pdf pdf_icon

DG40F12T2

DG40F12T2 IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG40F12T2 1200V/40A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as electronic welder. Features Low VCE(sat) Fast IGBT technology Low switching loss Maximum junction temperature 175oC VCE(

Otros transistores... SIG20N60F , SIG20N60P , SIG25N60F , SIG25N60P , SIG25N60W , SIG25N60B , SIG30N60P , SIG30N60W , STGW60V60DF , DG40H12T2Y , DG50H12T2Z , DG50X07T2 , DG75H12T2 , DG75X07T2L , DG75X12T2 , MSG100D350FHS , MSG100N350FH .

History: IXEH25N120D1 | HGT1S3N60A4S | IXGK72N60A3H1

 

 
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