Справочник IGBT. DG40F12T2

 

DG40F12T2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DG40F12T2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 707 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 310 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

DG40F12T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:161K  cn starpower
 dg40f12t2.pdf pdf_icon

DG40F12T2

DG40F12T2 IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG40F12T2 1200V/40A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as electronic welder. Features Low VCE(sat) Fast IGBT technology Low switching loss Maximum junction temperature 175oC VCE(

Другие IGBT... SIG20N60F , SIG20N60P , SIG25N60F , SIG25N60P , SIG25N60W , SIG25N60B , SIG30N60P , SIG30N60W , STGW60V60DF , DG40H12T2Y , DG50H12T2Z , DG50X07T2 , DG75H12T2 , DG75X07T2L , DG75X12T2 , MSG100D350FHS , MSG100N350FH .

History: IXGK72N60A3H1 | HGT1S3N60A4S | IXEH25N120D1

 

 
Back to Top

 


 
.