DG40H12T2Y - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DG40H12T2Y
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 535 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 129 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 210 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 350 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de DG40H12T2Y - IGBT
DG40H12T2Y Datasheet (PDF)
dg40h12t2y.pdf
DG40H12T2Y IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG40H12T2Y 1200V/40A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low VCE(sat) Trench IGBT technology Low switching loss Maximum junction temperature 175o
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