DG40H12T2Y IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DG40H12T2Y
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 535 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 129 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 210 pF
Encapsulados: TO247
Búsqueda de reemplazo de DG40H12T2Y IGBT
- Selección ⓘ de transistores por parámetros
DG40H12T2Y datasheet
dg40h12t2y.pdf
DG40H12T2Y IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG40H12T2Y 1200V/40A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low VCE(sat) Trench IGBT technology Low switching loss Maximum junction temperature 175o
Otros transistores... SIG20N60P , SIG25N60F , SIG25N60P , SIG25N60W , SIG25N60B , SIG30N60P , SIG30N60W , DG40F12T2 , AOK40B65H2AL , DG50H12T2Z , DG50X07T2 , DG75H12T2 , DG75X07T2L , DG75X12T2 , MSG100D350FHS , MSG100N350FH , GA100TS120U .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21