Справочник IGBT. DG40H12T2Y

 

DG40H12T2Y - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DG40H12T2Y
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 535 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 129 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 210 pF
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для DG40H12T2Y

 

 

DG40H12T2Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:634K  cn starpower
 dg40h12t2y.pdf

DG40H12T2Y DG40H12T2Y

DG40H12T2Y IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG40H12T2Y 1200V/40A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low VCE(sat) Trench IGBT technology Low switching loss Maximum junction temperature 175o

Другие IGBT... SIG20N60P , SIG25N60F , SIG25N60P , SIG25N60W , SIG25N60B , SIG30N60P , SIG30N60W , DG40F12T2 , YGW40N65F1A1 , DG50H12T2Z , DG50X07T2 , DG75H12T2 , DG75X07T2L , DG75X12T2 , MSG100D350FHS , MSG100N350FH , GA100TS120U .

 

 
Back to Top