DG40H12T2Y - аналоги и описание IGBT

 

DG40H12T2Y - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: DG40H12T2Y

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 535 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 129 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 210 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для DG40H12T2Y

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DG40H12T2Y даташит

 ..1. Size:634K  cn starpower
 dg40h12t2y.pdf pdf_icon

DG40H12T2Y

DG40H12T2Y IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG40H12T2Y 1200V/40A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low VCE(sat) Trench IGBT technology Low switching loss Maximum junction temperature 175o

Другие IGBT... SIG20N60P , SIG25N60F , SIG25N60P , SIG25N60W , SIG25N60B , SIG30N60P , SIG30N60W , DG40F12T2 , AOK40B65H2AL , DG50H12T2Z , DG50X07T2 , DG75H12T2 , DG75X07T2L , DG75X12T2 , MSG100D350FHS , MSG100N350FH , GA100TS120U .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.