IXRH40N120 Todos los transistores

 

IXRH40N120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXRH40N120
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 55 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 54 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 90 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXRH40N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  ixys
 ixrh40n120.pdf pdf_icon

IXRH40N120

IXRH 40N120VCES = 1200 VIGBT with ReverseIC25 = 55 ABlocking capabilityVCE(sat)= 2.3 V typ.CTO-247 ADGCGC (TAB)EEG = Gate, C = Collector,E = Emitter, TAB = CollectorFeatures IGBT IGBT with NPT (non punch through)structureSymbol Conditions Maximum Ratings reverse blocking capabilityVCES TVJ = 25C to 150C 1200 V- function of series dio

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