IXRH40N120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXRH40N120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 55 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 54 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 90 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de IXRH40N120 - IGBT
IXRH40N120 Datasheet (PDF)
ixrh40n120.pdf
IXRH 40N120VCES = 1200 VIGBT with ReverseIC25 = 55 ABlocking capabilityVCE(sat)= 2.3 V typ.CTO-247 ADGCGC (TAB)EEG = Gate, C = Collector,E = Emitter, TAB = CollectorFeatures IGBT IGBT with NPT (non punch through)structureSymbol Conditions Maximum Ratings reverse blocking capabilityVCES TVJ = 25C to 150C 1200 V- function of series dio
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Liste
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