IXRH40N120 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IXRH40N120  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 55 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 54 nS

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IXRH40N120

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXRH40N120 даташит

 ..1. Size:108K  ixys
 ixrh40n120.pdf pdf_icon

IXRH40N120

IXRH 40N120 VCES = 1200 V IGBT with Reverse IC25 = 55 A Blocking capability VCE(sat)= 2.3 V typ. C TO-247 AD G C G C (TAB) E E G = Gate, C = Collector, E = Emitter, TAB = Collector Features IGBT IGBT with NPT (non punch through) structure Symbol Conditions Maximum Ratings reverse blocking capability VCES TVJ = 25 C to 150 C 1200 V - function of series dio

Другие IGBT... IXGX72N60C3H1, IXGX75N250, IXGX82N120A3, IXGX82N120B3, IXGY2N120, IXLF19N250A, IXRA15N120, STGWT40HP65FB, IXGH60N60, IXRP15N120, IXSA10N60B2D1, IXSA15N120B, IXSA20N60B2D1, IXSH10N60B2D1, IXSH15N120BD1, IXSH20N60B2D1, IXSH24N60B