Справочник IGBT. IXRH40N120

 

IXRH40N120 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXRH40N120
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 55 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 54 nS
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXRH40N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  ixys
 ixrh40n120.pdf pdf_icon

IXRH40N120

IXRH 40N120VCES = 1200 VIGBT with ReverseIC25 = 55 ABlocking capabilityVCE(sat)= 2.3 V typ.CTO-247 ADGCGC (TAB)EEG = Gate, C = Collector,E = Emitter, TAB = CollectorFeatures IGBT IGBT with NPT (non punch through)structureSymbol Conditions Maximum Ratings reverse blocking capabilityVCES TVJ = 25C to 150C 1200 V- function of series dio

Другие IGBT... IXGX72N60C3H1 , IXGX75N250 , IXGX82N120A3 , IXGX82N120B3 , IXGY2N120 , IXLF19N250A , IXRA15N120 , STGWT40HP65FB , FGPF4536 , IXRP15N120 , IXSA10N60B2D1 , IXSA15N120B , IXSA20N60B2D1 , IXSH10N60B2D1 , IXSH15N120BD1 , IXSH20N60B2D1 , IXSH24N60B .

History: SRE80N065FSUD8 | NGD8205N | FII50-12E

 

 
Back to Top

 


 
.