DG50H12T2Z IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DG50H12T2Z
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 672 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 140 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 270 pF
Encapsulados: TO247
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DG50H12T2Z datasheet
dg50h12t2z.pdf
DG50H12T2Z IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG50H12T2Z 1200V/50A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low V Trench IGBT technology CE(sat) Low switching loss Maximum junction temperature 175
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