DG50H12T2Z Todos los transistores

 

DG50H12T2Z - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DG50H12T2Z
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 672 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 140 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 270 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

DG50H12T2Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  cn starpower
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DG50H12T2Z

DG50H12T2Z IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG50H12T2Z 1200V/50A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low V Trench IGBT technology CE(sat) Low switching loss Maximum junction temperature 175

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History: DGTD120T40S1PT | IGC41T120T8Q | IGC99T120T6RM | IGP50N60T | DGW50N65CTL1 | IGC28T65T8M | STGWT80H65DFB

 

 
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