Справочник IGBT. DG50H12T2Z

 

DG50H12T2Z - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DG50H12T2Z
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 672 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 140 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 270 pF
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для DG50H12T2Z

 

 

DG50H12T2Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  cn starpower
 dg50h12t2z.pdf

DG50H12T2Z DG50H12T2Z

DG50H12T2Z IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG50H12T2Z 1200V/50A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low V Trench IGBT technology CE(sat) Low switching loss Maximum junction temperature 175

Другие IGBT... SIG25N60F , SIG25N60P , SIG25N60W , SIG25N60B , SIG30N60P , SIG30N60W , DG40F12T2 , DG40H12T2Y , FGL60N100BNTD , DG50X07T2 , DG75H12T2 , DG75X07T2L , DG75X12T2 , MSG100D350FHS , MSG100N350FH , GA100TS120U , GA100TS60U .

 

 
Back to Top