DG50H12T2Z - аналоги и описание IGBT

 

DG50H12T2Z - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: DG50H12T2Z

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 672 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 140 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 270 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для DG50H12T2Z

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DG50H12T2Z даташит

 ..1. Size:379K  cn starpower
 dg50h12t2z.pdf pdf_icon

DG50H12T2Z

DG50H12T2Z IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG50H12T2Z 1200V/50A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low V Trench IGBT technology CE(sat) Low switching loss Maximum junction temperature 175

Другие IGBT... SIG25N60F , SIG25N60P , SIG25N60W , SIG25N60B , SIG30N60P , SIG30N60W , DG40F12T2 , DG40H12T2Y , NGTB75N65FL2 , DG50X07T2 , DG75H12T2 , DG75X07T2L , DG75X12T2 , MSG100D350FHS , MSG100N350FH , GA100TS120U , GA100TS60U .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.