IXSA20N60B2D1 Todos los transistores

 

IXSA20N60B2D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXSA20N60B2D1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 190 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 35 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5(max) V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 90 pF
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXSA20N60B2D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  ixys
 ixsa20n60b2d1.pdf pdf_icon

IXSA20N60B2D1

IXSA 20N60B2D1VCES = 600 VHigh Speed IGBTIXSP 20N60B2D1IC25 = 35 AVCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA CapabilityPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXSP)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C35 AIC110 TC = 110C20 ATO-22

Otros transistores... IXGY2N120 , IXLF19N250A , IXRA15N120 , STGWT40HP65FB , IXRH40N120 , IXRP15N120 , IXSA10N60B2D1 , IXSA15N120B , RJP30E2DPP-M0 , IXSH10N60B2D1 , IXSH15N120BD1 , IXSH20N60B2D1 , IXSH24N60B , IXSH24N60BD1 , IXSH30N60B2D1 , IXSH35N120B , SIG20N60P1A .

History: FGY75N60SMD | IHW30N100R | RJP30H1DPP-M0 | BT30N60ANF | HGTG20N60C3D | GT30F123 | MM10G3T120B

 

 
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