IXSA20N60B2D1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXSA20N60B2D1  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 190 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5(max) V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 90 pF

Encapsulados: TO263

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IXSA20N60B2D1 datasheet

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IXSA20N60B2D1

IXSA 20N60B2D1 VCES = 600 V High Speed IGBT IXSP 20N60B2D1 IC25 = 35 A VCE(sat) = 2.5 V Short Circuit SOA Capability Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXSP) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V C (TAB) VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C35 A IC110 TC = 110 C20 A TO-22

Otros transistores... IXGY2N120, IXLF19N250A, IXRA15N120, STGWT40HP65FB, IXRH40N120, IXRP15N120, IXSA10N60B2D1, IXSA15N120B, G50T65D, IXSH10N60B2D1, IXSH15N120BD1, IXSH20N60B2D1, IXSH24N60B, IXSH24N60BD1, IXSH30N60B2D1, IXSH35N120B, SIG20N60P1A