IXSA20N60B2D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXSA20N60B2D1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 190 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 35 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5(max) V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 90 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 33 nC
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de IXSA20N60B2D1 - IGBT
IXSA20N60B2D1 Datasheet (PDF)
ixsa20n60b2d1.pdf
IXSA 20N60B2D1VCES = 600 VHigh Speed IGBTIXSP 20N60B2D1IC25 = 35 AVCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA CapabilityPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXSP)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C35 AIC110 TC = 110C20 ATO-22
Otros transistores... IXGY2N120 , IXLF19N250A , IXRA15N120 , STGWT40HP65FB , IXRH40N120 , IXRP15N120 , IXSA10N60B2D1 , IXSA15N120B , RJP30E2DPP-M0 , IXSH10N60B2D1 , IXSH15N120BD1 , IXSH20N60B2D1 , IXSH24N60B , IXSH24N60BD1 , IXSH30N60B2D1 , IXSH35N120B , SIG20N60P1A .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2