IXSA20N60B2D1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IXSA20N60B2D1  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 90 pF

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IXSA20N60B2D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSA20N60B2D1 даташит

 ..1. Size:173K  ixys
 ixsa20n60b2d1.pdf pdf_icon

IXSA20N60B2D1

IXSA 20N60B2D1 VCES = 600 V High Speed IGBT IXSP 20N60B2D1 IC25 = 35 A VCE(sat) = 2.5 V Short Circuit SOA Capability Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXSP) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V C (TAB) VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C35 A IC110 TC = 110 C20 A TO-22

Другие IGBT... IXGY2N120, IXLF19N250A, IXRA15N120, STGWT40HP65FB, IXRH40N120, IXRP15N120, IXSA10N60B2D1, IXSA15N120B, G50T65D, IXSH10N60B2D1, IXSH15N120BD1, IXSH20N60B2D1, IXSH24N60B, IXSH24N60BD1, IXSH30N60B2D1, IXSH35N120B, SIG20N60P1A