DG50X07T2 Todos los transistores

 

DG50X07T2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DG50X07T2
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 714 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 15 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 350 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

DG50X07T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:577K  cn starpower
 dg50x07t2.pdf pdf_icon

DG50X07T2

DG50X07T2 IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG50X07T2 650V/50A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low VCE(sat) Trench IGBT technology Low switching loss Maximum junction temperature 175oC

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History: NCE75TD120VTP

 

 
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