DG50X07T2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DG50X07T2
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 714 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 15 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 350 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de DG50X07T2 - IGBT
DG50X07T2 Datasheet (PDF)
dg50x07t2.pdf
DG50X07T2 IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG50X07T2 650V/50A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low VCE(sat) Trench IGBT technology Low switching loss Maximum junction temperature 175oC
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