Справочник IGBT. DG50X07T2

 

DG50X07T2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DG50X07T2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 714 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 350 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

DG50X07T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:577K  cn starpower
 dg50x07t2.pdf pdf_icon

DG50X07T2

DG50X07T2 IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG50X07T2 650V/50A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low VCE(sat) Trench IGBT technology Low switching loss Maximum junction temperature 175oC

Другие IGBT... SIG25N60P , SIG25N60W , SIG25N60B , SIG30N60P , SIG30N60W , DG40F12T2 , DG40H12T2Y , DG50H12T2Z , GT30J122 , DG75H12T2 , DG75X07T2L , DG75X12T2 , MSG100D350FHS , MSG100N350FH , GA100TS120U , GA100TS60U , GA125TS120U .

History: IGC193T120T8RM | DGW60N65BTH | IGW40N65F5A | DIM1000XSM33-TS001 | IGP30N60T | DIM1500ASM33-TS001 | DG75X07T2L

 

 
Back to Top

 


 
.