DG75H12T2 Todos los transistores

 

DG75H12T2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DG75H12T2
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 937 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.8 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 840 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

DG75H12T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  cn starpower
 dg75h12t2.pdf pdf_icon

DG75H12T2

DG75H12T2 IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG75H12T2 1200V/75A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low VCE(sat) Trench IGBT technology Low switching loss Maximum junction temperature 175oC

Otros transistores... SIG25N60W , SIG25N60B , SIG30N60P , SIG30N60W , DG40F12T2 , DG40H12T2Y , DG50H12T2Z , DG50X07T2 , IRGB20B60PD1 , DG75X07T2L , DG75X12T2 , MSG100D350FHS , MSG100N350FH , GA100TS120U , GA100TS60U , GA125TS120U , GA150TD120U .

History: TGAN20N150FD | T0850VB25E

 

 
Back to Top

 


 
.