Справочник IGBT. DG75H12T2

 

DG75H12T2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DG75H12T2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 937 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 840 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

DG75H12T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  cn starpower
 dg75h12t2.pdf pdf_icon

DG75H12T2

DG75H12T2 IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG75H12T2 1200V/75A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low VCE(sat) Trench IGBT technology Low switching loss Maximum junction temperature 175oC

Другие IGBT... SIG25N60W , SIG25N60B , SIG30N60P , SIG30N60W , DG40F12T2 , DG40H12T2Y , DG50H12T2Z , DG50X07T2 , IRGB20B60PD1 , DG75X07T2L , DG75X12T2 , MSG100D350FHS , MSG100N350FH , GA100TS120U , GA100TS60U , GA125TS120U , GA150TD120U .

History: TGAN20N150FD | T0850VB25E

 

 
Back to Top

 


 
.