IXSR35N120BD1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXSR35N120BD1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.6(max) V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 315 pF
Encapsulados: ISOPLUS247
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IXSR35N120BD1 datasheet
ixsr35n120bd1.pdf
IXSR 35N120BD1 IGBT with Diode VCES = 1200 V IC25 = 70 A ISOPLUS 247TM VCE(sat) = 3.6 V (Electrically Isolated Backside) tfi(typ) = 180 ns Short Circuit SOA Capability Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V E 153432 VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C70 A G C
Otros transistores... IXSN80N60BD1 , IXSP10N60B2D1 , IXSP15N120B , IXSP20N60B2 , IXSP20N60B2D1 , IXSP24N60B , IXSQ10N60B2D1 , SIW120N65G2P2D , IRG7R313U , IXSR40N60BD1 , IXSR40N60CD1 , IXST15N120BD1 , IXST24N60B , IXST24N60BD1 , IXST30N60B2D1 , IXST35N120B , SIW100N65G2P2D .
History: STGF15M65DF2 | IXXH100N60C3 | NCE80TD60BT | STGB35N35LZ
History: STGF15M65DF2 | IXXH100N60C3 | NCE80TD60BT | STGB35N35LZ
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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