IXSR35N120BD1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXSR35N120BD1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 70 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.6(max) V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 315 pF
Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
Búsqueda de reemplazo de IXSR35N120BD1 - IGBT
IXSR35N120BD1 Datasheet (PDF)
ixsr35n120bd1.pdf
IXSR 35N120BD1IGBT with Diode VCES = 1200 VIC25 = 70 AISOPLUS 247TMVCE(sat) = 3.6 V(Electrically Isolated Backside)tfi(typ) = 180 nsShort Circuit SOA CapabilitySymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS 247TMVCES TJ = 25C to 150C 1200 VE 153432VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C70 AGC
Otros transistores... IXSN80N60BD1 , IXSP10N60B2D1 , IXSP15N120B , IXSP20N60B2 , IXSP20N60B2D1 , IXSP24N60B , IXSQ10N60B2D1 , SIW120N65G2P2D , FGPF4633 , IXSR40N60BD1 , IXSR40N60CD1 , IXST15N120BD1 , IXST24N60B , IXST24N60BD1 , IXST30N60B2D1 , IXST35N120B , SIW100N65G2P2D .
Liste
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