Справочник IGBT. IXSR35N120BD1

 

IXSR35N120BD1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXSR35N120BD1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.6(max) V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 315 pF
   Тип корпуса: ISOPLUS247

 Аналог (замена) для IXSR35N120BD1

 

 

IXSR35N120BD1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  ixys
 ixsr35n120bd1.pdf

IXSR35N120BD1 IXSR35N120BD1

IXSR 35N120BD1IGBT with Diode VCES = 1200 VIC25 = 70 AISOPLUS 247TMVCE(sat) = 3.6 V(Electrically Isolated Backside)tfi(typ) = 180 nsShort Circuit SOA CapabilitySymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS 247TMVCES TJ = 25C to 150C 1200 VE 153432VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C70 AGC

Другие IGBT... IXSN80N60BD1 , IXSP10N60B2D1 , IXSP15N120B , IXSP20N60B2 , IXSP20N60B2D1 , IXSP24N60B , IXSQ10N60B2D1 , SIW120N65G2P2D , FGPF4633 , IXSR40N60BD1 , IXSR40N60CD1 , IXST15N120BD1 , IXST24N60B , IXST24N60BD1 , IXST30N60B2D1 , IXST35N120B , SIW100N65G2P2D .

 

 
Back to Top