IXSR35N120BD1 - аналоги и описание IGBT

 

IXSR35N120BD1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXSR35N120BD1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.6(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 315 pF

Тип корпуса: ISOPLUS247

 Аналог (замена) для IXSR35N120BD1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSR35N120BD1 даташит

 ..1. Size:71K  ixys
 ixsr35n120bd1.pdf pdf_icon

IXSR35N120BD1

IXSR 35N120BD1 IGBT with Diode VCES = 1200 V IC25 = 70 A ISOPLUS 247TM VCE(sat) = 3.6 V (Electrically Isolated Backside) tfi(typ) = 180 ns Short Circuit SOA Capability Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V E 153432 VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C70 A G C

Другие IGBT... IXSN80N60BD1 , IXSP10N60B2D1 , IXSP15N120B , IXSP20N60B2 , IXSP20N60B2D1 , IXSP24N60B , IXSQ10N60B2D1 , SIW120N65G2P2D , IRG7R313U , IXSR40N60BD1 , IXSR40N60CD1 , IXST15N120BD1 , IXST24N60B , IXST24N60BD1 , IXST30N60B2D1 , IXST35N120B , SIW100N65G2P2D .

History: SKM150GAL123D | IXSH45N120B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.