IXSR40N60BD1 Todos los transistores

 

IXSR40N60BD1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXSR40N60BD1

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 170 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2(max) V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 440 pF

Encapsulados: ISOPLUS247

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IXSR40N60BD1 datasheet

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IXSR40N60BD1

IXSR 40N60BD1 IGBT with Diode VCES = 600 V IC25 = 70 A ISOPLUS 247TM VCE(sat) = 2.2 V (Electrically Isolated Backside) tfi(typ) = 120 ns Short Circuit SOA Capability Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V E 153432 VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC

 5.1. Size:38K  ixys
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IXSR40N60BD1

IXSR 40N60CD1 VCES = 600 V IGBT with Diode IC25 = 62 A ISOPLUS247TM VCE(SAT) = 2.5 V (Electrically Isolated Backside) tfi(typ) = 70 ns Short Circuit SOA Capability Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM (IXSR) E 153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V C E I

Otros transistores... IXSP10N60B2D1 , IXSP15N120B , IXSP20N60B2 , IXSP20N60B2D1 , IXSP24N60B , IXSQ10N60B2D1 , SIW120N65G2P2D , IXSR35N120BD1 , GT30G124 , IXSR40N60CD1 , IXST15N120BD1 , IXST24N60B , IXST24N60BD1 , IXST30N60B2D1 , IXST35N120B , SIW100N65G2P2D , IXST45N120B .

History: STGP30V60DF | IXSH45N120B | SGR5N60RUF | JT100K120F2MA1E | SPD15N65T1T0TL | SPF15N65T1T2TL | IXSX40N60BD1

 

 

 

 

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