IXSR40N60BD1 - аналоги и описание IGBT

 

IXSR40N60BD1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXSR40N60BD1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 440 pF

Тип корпуса: ISOPLUS247

 Аналог (замена) для IXSR40N60BD1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSR40N60BD1 даташит

 ..1. Size:71K  ixys
 ixsr40n60bd1.pdf pdf_icon

IXSR40N60BD1

IXSR 40N60BD1 IGBT with Diode VCES = 600 V IC25 = 70 A ISOPLUS 247TM VCE(sat) = 2.2 V (Electrically Isolated Backside) tfi(typ) = 120 ns Short Circuit SOA Capability Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V E 153432 VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC

 5.1. Size:38K  ixys
 ixsr40n60cd1.pdf pdf_icon

IXSR40N60BD1

IXSR 40N60CD1 VCES = 600 V IGBT with Diode IC25 = 62 A ISOPLUS247TM VCE(SAT) = 2.5 V (Electrically Isolated Backside) tfi(typ) = 70 ns Short Circuit SOA Capability Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM (IXSR) E 153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V C E I

Другие IGBT... IXSP10N60B2D1 , IXSP15N120B , IXSP20N60B2 , IXSP20N60B2D1 , IXSP24N60B , IXSQ10N60B2D1 , SIW120N65G2P2D , IXSR35N120BD1 , GT30G124 , IXSR40N60CD1 , IXST15N120BD1 , IXST24N60B , IXST24N60BD1 , IXST30N60B2D1 , IXST35N120B , SIW100N65G2P2D , IXST45N120B .

History: STGB3NB60SD | STGW20NB60HD | STGF30M65DF2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.