Справочник IGBT. IXSR40N60BD1

 

IXSR40N60BD1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXSR40N60BD1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 440 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 190 nC
   Тип корпуса: ISOPLUS247

 Аналог (замена) для IXSR40N60BD1

 

 

IXSR40N60BD1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  ixys
 ixsr40n60bd1.pdf

IXSR40N60BD1 IXSR40N60BD1

IXSR 40N60BD1IGBT with Diode VCES = 600 VIC25 = 70 AISOPLUS 247TMVCE(sat) = 2.2 V(Electrically Isolated Backside)tfi(typ) = 120 nsShort Circuit SOA CapabilityPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS 247TMVCES TJ = 25C to 150C 600 VE 153432VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC

 5.1. Size:38K  ixys
 ixsr40n60cd1.pdf

IXSR40N60BD1 IXSR40N60BD1

IXSR 40N60CD1 VCES = 600 VIGBT with DiodeIC25 = 62 AISOPLUS247TMVCE(SAT) = 2.5 V(Electrically Isolated Backside)tfi(typ) = 70 nsShort Circuit SOA CapabilityPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS 247TM (IXSR)E 153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VCEI

Другие IGBT... IXSP10N60B2D1 , IXSP15N120B , IXSP20N60B2 , IXSP20N60B2D1 , IXSP24N60B , IXSQ10N60B2D1 , SIW120N65G2P2D , IXSR35N120BD1 , IRG7R313U , IXSR40N60CD1 , IXST15N120BD1 , IXST24N60B , IXST24N60BD1 , IXST30N60B2D1 , IXST35N120B , SIW100N65G2P2D , IXST45N120B .

 

 
Back to Top